生物物理学

生物物理学 · 07.07

半導体ダイオードの機能

The function of the semiconductor diode

🧠 p–n接合(p–n junction diode)は方向により電流を強く非対称化し、を行う。

pn接合と空乏層

接合直後に担体の拡散が起こり、固定イオンを含むとが形成される。

flowchart TD
  A["p型とn型を接合"]
  B["拡散で<span class='jp-term jp-term-diagram' title='depletion layer'>空乏層</span>形成"]
  C["<span class='jp-term jp-term-diagram' title='bias'>バイアス</span>で障壁を制御"]
  A --> B
  B --> C

ダイオードの電流電圧特性

I=Is[exp⁡ ⁣(qVkBT)−1]I=I_s\left[\exp\!\left(\frac{qV}{k_BT}\right)-1\right]

は電位障壁を低下させ、は電位障壁と幅を増大させる。

整流と検出

n型・p型を接合すると拡散とが釣り合うができる。温度によるの変化はにも影響する。

  • はに増える。
  • は前まで小さい。
  • LEDとフォトも接合部のエネルギー変換を利用。

材料・生体への応用

の、センサー、に用いる。

の作用は、化学やで形成するp-n接合の光電子応答に応用される。12

まとめ

  • p–n接合は方向により電流を強く非対称化し、を行う。
  • は指数的に増える。
  • の、センサー、に用いる。

出典

  1. 1.Lateral MoS2 p-n junction formed by chemical doping for use in high-performance optoelectronics(ACS Nano・2014)化学ドーピングで形成するMoS2横型p-n接合の光電子応答閲覧 2026-08-21
  2. 2.Epitaxial growth of a monolayer WSe2-MoS2 lateral p-n junction with an atomically sharp interface(Science・2015)半導体ヘテロ接合の電子・光学特性閲覧 2026-08-21